及字的结构_及字的结构

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长鑫存储取得字线引出结构及其制备方法专利,可以减小字线引出结构...金融界2023年12月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“字线引出结构及其制备方法“,授权公告号CN113745193B,申请日期为2020年5月。专利摘要显示,本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法,在衬底上形成沿X轴方向延伸的字线;形成沿Y轴方向...

三星取得集成电路器件及其制造方法专利,实现字线结构、绝缘结构、...金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“,授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错...

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长鑫存储申请半导体结构制备方法及半导体结构专利,增加字线结构所...第二沟槽隔离结构及第三沟槽隔离结构;形成底面接触衬底上表面的两个间隔的栅极沟槽,目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空;于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加字线结构所占空间体...

长鑫存储申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利,增加单个存储...目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁;于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度...

∪ω∪ 长鑫存储取得半导体储存器结构及其字线制造方法专利,采用新技术...金融界2024年5月8日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器结构及其字线制造方法“,授权公告号CN110534480B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示,本发明提供一种半导体储存器结构及其字线制造方法,该制造方法在衬底中制备出多重式的...

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长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,专利技术能有效提高字线...金融界2024年4月5日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117835694A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构及其制备方法,该半导体结构包括衬底和多条字线;多条字线均沿第一方向延伸...

长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利,提升字线的控制能力所述第一导电层与所述栅介质层侧面相接触,所述第二导电层位于相邻的所述有源柱之间,所述第一导电层位于所述栅介质层与所述第二导电层之间,所述第二导电层环绕所述第一导电层的侧面设置。本公开实施例提供的半导体结构及制备方法至少可以提升字线的控制能力。本文源自金融...

长鑫存储申请半导体结构及其制造方法专利,提高字线和/或位线整体的...提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:阵列区和包围所述阵列区的隔断区;阵列区中包括沿第一方向延伸的部分位线以及沿第二方向延伸的部分字线;隔断区中包括与阵列区至少一侧相邻的引出区,字线和/或位线还位于引出区中;隔断区中包括浅沟槽隔离结构,浅沟槽隔离结构...

长鑫存储申请半导体结构及其形成方法专利,简化了水平字线的形成...形成晶体管结构于所述第一沟槽内,所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构;形成沿所述第二方向延伸的字线,所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平字线的形成工艺,降低了半导体...

长鑫存储申请半导体结构及其形成方法专利,可以降低相邻两条字线...本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括:衬底;多个有源柱,位于所述衬底内,所述多个有源柱沿第一方向和第二方向呈阵列排布,所述第一方向和所述第二方向均为平行于所述衬底的顶面的方向,且所述第一方向与所述第二方向相交;多条字线,多条所述字线沿所述第...

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